电子mos管的功能，mos管做电子开关

1、MOS管介绍：

各大IT公司统称场效应晶体管（FET）为MOS晶体管。其作用是将输入电压的变化转换为输出电流的变化。 FET 的增益等于其跨导，跨导定义为输出电流变化与输入电压变化之比。市场上常见的有N沟道和P沟道，它们都是压控半导体器件。具有输入电阻高（10^8~10^9）、低噪声、低功耗、动态范围宽、易于集成、无二次击穿现象、安全工作区宽等优点。详细信息请参见图表。在下面：

2.了解MOS管：

3、MOS管内部结构：

MOS管三个电极：（G：栅极）（D：漏极）（S：源极）

N-MOS: VGS+1.2V以上（+4.5V完成）导通。

4、MOS管与三极管对比：

5.在讲解之前，先让大家了解一下MOS管。

6、同样，MOS管也有三极。

7、如何判断MOS管是N沟道还是P沟道？

8、如何判断哪个MOS管有寄生二极管？

9. 要扩展您对MOS 管中寄生二极管作用的了解，请执行以下操作：

D-S之间的二极管的作用是防止VDD过压时烧坏MOS管。在MOS管被过压损坏之前，二极管首先反向击穿，向地传导大电流，防止MOS管烧坏。此外，G/S 之间的寄生电容很小，考虑到U=Q/C，通常会产生非常高的ESD 电压。栅极通常发生在G-S 之间，并且每隔一定时间添加TVS 以防止G-S 破坏。

10、笔记本主板上的MOS管主要有两个作用。

11、使用MOS开关进行信号切换（高电平和低电平切换）

例1. 用MOS开关实现电压切换。

12、MOS管用作开关时如何在电路中连接

13、由于寄生二极管直接导通，NMOS管的S极电压无条件到达DMOS管，失去开关功能。同样，PMOS管的D极电压也可以无条件达到S极电压。杆将折断，开关功能将丧失。

14、MOS管：的开关条件

当控制极电平为“?V”时，MOS管导通（饱和通电）？

当控制极电平为“V”时，MOS管截止。

15、饱和导通问题：

UG必须比US高（或低）多少伏才能使MOS管饱和导通？这个要看具体的MOS管。

不同的MOS管需要不同的压差。

笔记本主板中使用的NMOS可以简单地分为两类。

信号切换用MOS管：UG仅比US大3V—5V。

你只需要打开它，不需要在饱和时打开它。

例如常见的：2N7002、2N7002E、2N7002K、2N7002D、FDV301N。

MOS管用于电压切换。 UG必须比US大10V并且导通。

必须在饱和导通条件下工作。

常见的有：AOL1448、AOL1428A、AON7406、AON7702、MDV1660、

AON6428L、AON6718L、AO4496、AO4712、AO6402A、AO3404、

SI3456DDV、MDS1660URH、MDS2662URH、RJK0392DPA、RJK03B9DP。

PMOS管的状态与NMOS管的状态正好相反。

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测量的注意事项：
以上都是在MOS管没有被接入任何电路的情形下，进行的测量。如果MOS管在板时进行测量，测量的值会受到所在电路的影响，有可能会误导判读。建议在板测量出异常时，最好取下进行一次复判。
测量前，最好用表笔金属针头部分短接MOS管G极与S极，以释放MOS管G极可能残留的静电电荷。因为G极如果存在静电电压可能会造成D与S极处于导通状态，而引起误判。
我们这里测量用的是数字万用表。（当调至“二极管档”时，红表笔是正极（+），黑表笔是负极（-））
如果使用指针式万用表，注意红黑表笔上电压极性刚好相反，请注意测量的结果应该颠倒才对。
正常来讲MOS的D-G或G-S之间都是有很高的阻抗(一般为107以上的阻抗)，D-S之间
有一个正向的阻值约（450~550）左右的二极值，偏高与过低都是有问题的。
代换原则：
1.N沟道代N沟道。P沟道代P沟道,决不能N沟道代P沟道的,耐压大于原来的MOS管，导通电阻要小于原来的。
2.大功率的MOS不能使用小功率的MOS管来代换,主板中大多数的MOS管都分为上管与下管大多数都是转换电压的，所以遇到其中一颗MOS损坏，最后需要将2颗MOS一起更换，这样避免只换一颗通电后又要烧MOS。
如果对MOS管不熟悉最后在网上下载资料确认之后再去更换，避免带来不必要的麻烦。
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