场效应mos管参数大全，mos场效应管的全称

以N沟道为例，在P型硅基板上形成两个高度集中的源扩散区N+和漏扩散区N+，并分别引出源极S和漏极D。源极和板在内部连接并始终保持相同的电位。图1（a）中符号的正面方向是从外到内，表示从P型材料（衬底）指向N型沟道。如果漏极连接到电源正极，源极连接到电源负极，且VGS=0，则沟道电流（或漏极电流）ID=0。随着VGS被正栅极电压吸引并逐渐升高，两个扩散区之间感应出带负电的少数载流子，当VGS达到管子开启电压VTN（一般+2V左右）时，N沟道管开始工作导通并形成漏极电流ID。

国产N沟道MOSFET的代表产品有3DO1、3DO2、3DO4（单栅晶体管）、4DO1（双栅晶体管）。它们的引脚排列（底视图）如图2 所示。

MOS场效应管比较“坚韧”。这是因为输入电阻非常高，栅极和源极之间的电容很小，因此很容易被外部电磁场或静电感应充电，形成非常高的电压，并且电荷量很少。 (U)如果极间电容=Q/C)，管子就会损坏。因此，工厂会扭转引脚或将它们固定在金属箔上，以使G 极和S 极具有相同的电位，并防止静电积聚。当管道不使用时，所有引线也应短路。进行测量时必须格外小心，并且必须采取适当的防静电措施。

MOS场效应管的检测方法

（一）准备工作

测量前，在接触MOSFET 引脚之前，将身体短接到地。为了保持人体与大地等电位，最好将腕线接地。再次分离引脚并拆下电线。

(2) 判断电极

将万用表设置为R100，首先确定门。如果一个引脚和另一个引脚之间的电阻无穷大，则证明该引脚是门G。如果更换表笔再次测量，S、D之间的电阻应该在几百欧姆到几千欧姆之间。当电阻值变小时，将黑表笔接到D极。连接到S极。国产3SK系列中，S极与管壳相连，便于识别S极。

(3)放大能力的确认(互导)

将G极悬空，将黑表笔接D极，红表笔接S极，用手指触摸G极时，表针会明显摆动。双栅MOS场效应晶体管有两个栅极，G1和G2。为了区别，如果用手触摸G1和G2极，时钟指针会向左摆动得更多。

现在有些MOSFET管的G-S极之间有保护二极管，所以不需要将每个引脚短接。

MOS场效应管在使用过程中必须分类，不能随意更换。 MOS场效应晶体管（包括MOS集成电路）输入阻抗较高，因此容易受到静电的破坏。使用时请注意以下事项：

(1) MOS 器件通常装在黑色导电泡沫塑料袋中从工厂发货。不要只是拿起塑料袋自己包装。您还可以使用细铜线连接引脚或用锡箔包裹引脚。

(2) 拆下的MOS器件不能在塑料板上滑动，因此请用金属板等握住它来使用。

(3) 确保焊接时使用的烙铁充分接地。

(4)焊接前将板子的电源线和地线短接，焊接完MOS器件后断开。

(5) MOS器件各引脚的焊接顺序为漏极、源极、栅极。拆卸时按相反顺序进行。

(6) 安装板卡前，使用接地夹子接触机器各端子并连接板卡。

(7)如果MOS场效应管的栅极允许，最好接一个保护二极管。维修电路时，应注意检查原保护二极管是否完好。

VMOS场效应管（VMOSFET）又称VMOS管或功率场效应管，正式名称为V型槽MOS场效应管。这是继MOSFET之后新开发的高效功率开关器件。不仅继承了MOS场效应管的高输入阻抗（108W）、小驱动电流（约0.1A左右），而且还具有高耐压（最大1200V）、大工作电流（1.5A 100A），输出功率大（1~250W），跨导线性好，开关速度快。由于它们结合了真空管和功率晶体管的优点，广泛应用于电压放大器（电压放大倍数数千倍）、功率放大器、开关电源、逆变器等。

众所周知，传统MOS场效应晶体管的栅极、源极和漏极位于芯片上大致同一水平面上，其工作电流基本水平流动。左下图展示了VMOS管：的两大结构特点。一是金属栅极采用V型槽结构，二是具有垂直导电性。由于漏极是从芯片背面引出，所以ID并不是沿着芯片水平流动，而是从重掺杂的N+区（源极S）开始，流经P沟道，向轻掺杂的N-流入漂移区并最终垂直向下到达漏极D。电流方向如图中箭头所示，流通截面积增大，可流过大电流。它仍然是绝缘栅MOS场效应晶体管，因为栅极和芯片之间有一层二氧化硅绝缘层。

国内VMOS场效应管主要生产厂家有877厂、天津半导体器件厂四厂、杭州电子管厂等。代表产品包括VN401、VN672、VMPT2。表1为6个VMOS管的主要参数。 IRFPC50的外观如右上图所示。

如何检测VMOS场效应管

(1) 审判门G

将万用表置于R1k档，测量三个引脚之间的电阻。如果发现某个引脚电阻无穷大，且更换表笔后电阻仍为无穷大，则证明G值极值。

(2)确定源极S和漏极D

从图1中可以看出，源极和漏极之间有一个PN结，因此可以根据PN结正向和反向电阻的差异来识别S极和D极。通过交换表笔测量两次电阻值，较低的电阻值（通常为几千欧姆至10000欧姆或更高）为正向电阻。此时黑表笔变成S极。红色测试线连接至D极。

(3) 测量漏源导通电阻RDS(on)。

将G-S极短接，万用表选择R1档，黑表笔接S极，红表笔接D极。电阻应从几欧姆到10欧姆或更大。由于测试条件不同，测得的RDS(on)值会高于手册中列出的典型值。例如，用500万用表Rx1刻度测量IRFPC50 VMOS管时，RDS(on)=3.2W，大于0.58W（典型值）。

(4) 检查互导

将万用表置于R1k（或R100）档，红表笔接S极，黑表笔接D极。握住螺丝刀，仪表上的指针会明显弯曲。偏转越大，管子的跨导越大。

7、场效应管与晶体管的比较

(1)场效应晶体管是电压控制元件，晶体管是电流控制元件。当可以从信号源提取的电流较小时使用场效应晶体管，而当信号电压较低并且可以从信号源提取的电流较大时使用晶体管。用过的。

(2)场效应晶体管是利用多数载流子来导电，因此称为单极器件，但晶体管同时具有多数载流子和少数载流子来导电。它被称为双极器件。

(3)有些场效应晶体管的源极和漏极可以互换使用，栅极电压可以正也可以负，使其比晶体管更加灵活。

(4)场效应晶体管可以在非常低的电流和电压条件下工作，其制造工艺有利于在硅片上集成许多场效应晶体管，使其适合大规模集成电路的广泛应用。它已被广泛使用。